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可控硅智能調(diào)壓模塊:是一種以可控硅(電力電子功率器件)為基礎(chǔ)，以智能數(shù)字控制電路為**的電源功率控制電器，簡(jiǎn)稱可控硅調(diào)壓器，又稱可控硅調(diào)功器，可控硅調(diào)整器，晶閘管調(diào)整器，晶閘管調(diào)壓器，電力調(diào)整器，電力調(diào)壓器，功率控制器。具有效率高、無機(jī)械噪聲和磨損、響應(yīng)速度快、體積小、重量輕等諸多***。
可控硅智能調(diào)壓模塊的原理：
1.整流電路采用橋式整流，將220伏，50赫茲交流電壓變?yōu)槊}沖直流電。
2.抗干擾電路為普通電源抗干擾電路。
3.可控硅控制電路采用可控硅和降壓電阻組成。
4.張弛振蕩器由單結(jié)晶體管和電阻組成。
5.沖放電電路有電阻和可變電阻及電容組成。
可控硅智能調(diào)壓模塊由可控整流電路和觸發(fā)電路兩部分組成，其電路原里圖如下圖所示。從圖中可知，二極管D1-D4 組成橋式整流電路，雙基極: 二極管T1構(gòu)成張弛振蕩器作為可控硅的同步觸發(fā)電路。當(dāng)調(diào)壓器接上市電后，220V 交流電通過負(fù)載電阻RL 經(jīng)二極管D1-D4 整流，在可控硅SCR 的A、K 兩端形成一個(gè)脈動(dòng)直流電壓，該電壓由電阻R1降壓后作為觸發(fā)電路的直流電源。在交流電的正半周時(shí)，整流電壓通過R4、W1對(duì)電容C充電。當(dāng)充電電壓UC 達(dá)到T1管的峰值電壓UP時(shí)，T1管由截止變?yōu)閷?dǎo)通，于是電容C通過T1管的e、b1結(jié)和R2 迅速放電，結(jié)果在R2 上獲得一個(gè)尖脈沖。這個(gè)脈沖作為控制信號(hào)送到可控硅SCR的控制極，使可控硅導(dǎo)通?？煽毓鑼?dǎo)通后的管壓降很低，一般小于1V,所以張弛震蕩器停止工作。當(dāng)交流電通過零點(diǎn)是，可可控硅自關(guān)斷，當(dāng)交流電在負(fù)半周時(shí)電容C又從新充電。如此周而復(fù)始，便可調(diào)整負(fù)載RL上的功率了。
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